近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)展迅猛，半導(dǎo)體芯片行業(yè)運(yùn)用大批研磨液進(jìn)行芯片打磨拋光，發(fā)作各種研磨液廢水，但隨著大眾環(huán)保意識(shí)和環(huán)保請(qǐng)求的進(jìn)步，環(huán)境凈化也日益遭到人們的關(guān)注?，F(xiàn)有的研磨廢水個(gè)別須要進(jìn)行解決，到達(dá)規(guī)范后能力排放，現(xiàn)有的解決工藝個(gè)別采取普通絮凝積淀、電絮凝、高pH膜過(guò)濾等的解決工藝。

增添絮凝劑為罕用的絮凝方法，然而因?yàn)檠心ヒ焊‖F(xiàn)強(qiáng)穩(wěn)固性須要投加大批的絮凝劑能力起到絮凝作用，這無(wú)疑增添了企業(yè)的投入老本，而且，投加的絮凝劑量大，發(fā)作的污泥量也隨著增添，使得后續(xù)污泥解決的難度也隨之增大。半導(dǎo)體研磨廢水的解決方案，其特性在于，包含以下步驟：

（1）取研磨廢水，調(diào)理研磨廢水的pH值為8.5－10.5；

（2）向經(jīng)步驟（1）解決后的研磨廢水中參加破穩(wěn)劑，使得研磨廢水中破穩(wěn)劑的質(zhì)量濃度和懸浮物的質(zhì)量濃度之比為1：9－13，而后攪拌10－50min，得破穩(wěn)廢水；

（3）向步驟（2）中的破穩(wěn)廢水中順次參加絮凝劑和助凝劑，使得破穩(wěn)廢水中絮凝劑的質(zhì)量濃度與懸浮物的質(zhì)量濃度之比為1：90－120，助凝劑與懸浮物的質(zhì)量濃度之比為1：9－13，然落后行沉降分別即可。

在增添絮凝劑、助凝劑之前先參加由硅酸鈉、偏鋁酸鈉和氫氧化鈣制成的破穩(wěn)劑，首先，破穩(wěn)劑造成的物資外表帶有正電荷，正好與研磨廢水中的懸浮顆粒外表的負(fù)電荷發(fā)作電中和，使得研磨廢水中的懸浮物集合成絮凝體，研磨廢水中的電位下降，研磨廢水中懸浮顆粒的穩(wěn)固狀況被損壞，懸浮顆粒集合為較大的顆粒，發(fā)作沉降，因?yàn)檠心U水中懸浮顆粒的穩(wěn)固狀況被損壞，因而，后續(xù)只要參加很大批的絮凝劑便可完成懸浮物沉降的目標(biāo)；其次，參加的破穩(wěn)劑在研磨廢水中造成多孔的具備吸附作用的物資，可對(duì)研磨廢水中的懸浮顆粒進(jìn)行吸附，進(jìn)一步進(jìn)步懸浮顆粒去除速度，最終完成水體凈化的作用。